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下降法晶体生长炉氟化镁晶体炉

  • 所属分类:真空烧结炉
  • 关 键 词:真空烧结炉
  • 浏览次数:8125次
  • 发布日期:2019-02-01
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  • 信息介绍
  • 下降式晶体生长炉

    技术规格书

    一·设备用途:

    主要用于LED半导体、太阳能等工业晶体的提纯、制备。

    二·设备特点:

    本设备采用一体化设计,立式钟罩式结构,炉膛材料采用优质的氧化铝多晶纤维真空吸附制成,节能50%,炉体采用双层炉壳结构,双层炉壳之间装有风机,可以快速升降温,炉壳表面温度低,**整洁大方。

    三·主要技术参数

    1.**使用温度:1600℃

    2.控温区:两区(一区高温区,一区辅助加热区)

    3.功率:                          15Kw±10%单相

    4.发热材料:硅钼棒(高温区)电阻丝(辅助加热区)

    5.恒温区间:200mm(高温区)

    6.炉膛内径:120mm

    7.测温系统:                   热电偶

    8.控温精度:                   ±1℃

    9.坩埚升降:位移行程 300mm

    慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)精度±0.01mm

              快速升降50-200mm/min(伺服控制)

    坩埚旋转:坩埚转速 1~50RPM


    四、结构组成

    1、炉体及炉体升降机构

    2、坩埚升降旋转系统

    3、变压器及联接电缆

    4、 温控系统

    五、结构说明

    1、炉体及炉体升降系统:炉体壳体采用优质冷轧钢板双层结构独特设计技术,壳体颜色漆经过高温烘烤而成,经久耐用,炉膛采用高纯氧化铝多晶体纤维材料,分两区***控温,高温区采用优质硅钼棒为加热元件,辅助温区采用优质电阻丝为加热元件,两个温区之间形成温度梯度,从而保证晶体的正常生长,双层炉壳间配有风冷系统,能快速对温控系统降温;该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。炉体整体做成一个圆筒的罩式结构,与固定在支架平台上的炉底组成一个完整的炉膛,炉体配有一升降系统,可是炉体**升降,方便装卸料。

    2、坩埚升降旋转系统:坩埚升降采用伺服控制,位移精度可达0.01毫米,控制精度高,它是由一套线性模组和伺服电机,减速机组成,旋转机构由旋转电机减速机组成,升降和旋转安装在同***台上,组成一个完整的机构,安装在炉底中心位置,从而带动坩埚杆的升降与旋转,坩埚杆的上部装有一坩埚平台,采用高温陶瓷材料,经久耐用。

    3、温控系统:电炉的温度控制采用可控硅功率控制器+低电压大电流变压器,可控硅功率控制器采用移相触发方式来实现电压的无级调节,从而达到自动控制功率的目的。采用宇电50段温控仪表,控温精度高,可根据需要设定多段升温曲线,从而达到自动控制温度的目的。功能强大,操作方便,具有超温,上线***声光**功能。控制柜面板上设有液晶触模屏,可显示、设定坩埚升降速度,旋转速度、位移等,直观显示系统各部件的工作状态,并可实时显示记录工况炉内的温度。可显示温度、位移曲线,记录保存数据,数据也可以删除、导出。炉子的所有动作都有一台PLC来完成,控制精确自动化程度高。

    4、变压器及联接电缆:采用三相干式变压器,联接电缆采用铜排或软电缆降低损耗,环保节能。


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