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真空感应区熔炉 区域熔炼提纯炉

  • 所属分类:晶体生长炉
  • 关 键 词:区域熔炼炉,真空感应区域熔炼炉,提纯炉,区熔炉
  • 浏览次数:1851次
  • 发布日期:2022-10-23
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  • 信息介绍
  • 一·设备用途:

    1. 提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料;

    2. 区熔致匀(使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶体中)

    3. 焊接和测量液体中的扩散率等。

    二·设备优点:

    1·区熔加热炉采用往复区熔的方式,闭环温度控制,可靠的控制熔区的宽度问题;生长室的设计成功解决生长室的污染问题,

    2·将加热及保温材料均设置在生长腔室外部,采用高纯石英作为腔室,同时抽真空;将流动高纯氢气通入腔室,去除腔室中的微量氧,解决氧化的问题;

    3·开发高柔性的控制软件,采用触摸屏进行操作,任意设置区熔的温度,区熔的速度及次数。

    三·主要技术参数

    1.***加热温度:1100℃使用温度:500-1000℃

    2.设备功率:25Kw±10%三相380v 50Hz(三相五线制)

    3.感应电源功率:15Kw±10%三相380v 50Hz(三相五线制)
    4.冷态极限真空度:   ≤6.7×10-4Pa

    5·石墨舟尺寸:Ф70*200mm(内径*长度,半圆柱)

    6·石英管(腔室)尺寸:¢100*1200(根据实际情况做调整)

    7·加热方式:高频感应加热

    9·区熔行程及速度:位移行程≦1000mm

    慢速:1-10mm/h(伺服控制)精度0.01mm

    快速:50-200mm/min(伺服控制)可根据客户需求设计

    10.炉内充气压力:≤0.03MPa(氩气)

    11·充气系统:      自动充放气

    12.区熔温区:1温区

    13.石英管法兰连接方式:真空水冷密封法兰形式,留KF25真空接口,法兰材质304不锈钢

    14.控制方式:触摸屏+plc


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