一·设备用途：

1. 提纯金属、半导体、有机和无机的化学材料

2. 区熔致匀（使一种欲掺入的杂质十分均匀地分布在整个单晶体中）

3. 焊接和测量液体中的扩散率等。

二·设备优点：

1·区熔加热炉采用往复区熔的方式，闭环温度控制，可靠的控制熔区的宽度问题；生长室的设计成功解决生长室的污染问题，

2·将加热及保温材料均设置在生长腔室外部，采用高纯石英作为腔室，同时抽真空；将流动高纯氢气通入腔室，去除腔室中的微量氧，解决氧化的问题；

3·开发高柔性的控制软件，采用触摸屏进行操作，任意设置区熔的温度，区熔的速度及次数。

三·主要技术参数

1.设计加热温度：     1100℃ 使用温度：≤1000℃(主加热采用红外测温）

2.设备功率：          10Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五线制）

3.超高频感应电源功率：  6Kw±10%  单相220v 50Hz（三相五线制）

4.主加热方式：        高频感应加热

5.设计前配置辅助加热：采用电阻加热 加热功率≤1kw 温度范围≤500℃，温度可控可设定。
4.冷态极限真空度：   ≤5Pa

5·石墨舟尺寸：Ф50*400mm（内径*长度，半圆柱）（根据实际微调整）装载量（锗2kg）

6·石英管（腔室）尺寸：¢60*1000mm 

7·加热方式：        高频感应加热

9·区熔熔区长度及速度：400mm  位移行程 ≥500mm

慢速：0.1-10mm/h（伺服控制）精度0.01mm速度可设定

快速：50-200mm/min（伺服控制）可根据客户需求设计

10.炉内充气压力：    ≤0.03MPa（氩气  氢气）

11·充气系统：      自动充放气（配置氢气点火装置）

12.区熔温区：       单温区 一区主控

13.石英管法兰连接方式：真空水冷密封法兰形式，留KF25真空接口，法兰材质304不锈钢

14.控制方式：触摸屏+plc