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提拉法晶体生长炉

  • 所属分类:晶体生长炉
  • 关 键 词:晶体生长炉,晶体炉,长晶炉,生长炉,单晶炉,提拉法晶体炉,CZ 单晶生长炉,直拉法晶体炉
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  • 发布日期:2025-07-18
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  • 信息介绍
  • 一、设备主要用途和特点

    1.主要用途

    设备主要用于科研对晶体生长过程的探索,可用于制备氧化物单晶和金属单晶晶体制备,如蓝宝石、GGG,YAG,LaAlO3,Si和Ge等,可以制备25mm以下的单晶体材料

    2.机器特点:

    1·模块化设计,结构紧凑,外形美观,

    2·采用侧部开门,结构精巧,方便,移动平稳装卸料方便

    3· 采用触摸屏+plc控制方式,自动化程度高,操作直观,功能强大。

    4· 在触摸屏内可预存几十种烧结工艺,一次编辑,以后直接调用使用,省去多次编辑工艺的麻烦,避免输入错误,烧坏产品。

    5· 烧结的温度,真空度,等数据可实时记录,也可随时启动停止记录,减少无用数据,数据可查询,可导出下载。

    6· 烧结温度高,用石墨坩埚,最高可达2000℃,

    二、设备主要技术指标和参数

    1. 设备总功率:≤35Kw;电源电压:3相380V,50Hz

    2. 最高温度:1900℃ 加热功率 ≤20Kw 根据需要定制

    3. 额定温度:≤700-2000℃,可定制温度

    4. 感应线圈尺寸:Ф100×100mm(直径×高,)设置保温层防止底部材料固化。(可定制)

    5. 坩埚尺寸:Ф80×80mm(可定制)

    6. 测温系统: 在坩埚侧部设计测温孔 配置红外测温仪和欧陆程序仪表

    7. 提拉速度:慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)

    8. 提拉杆旋转速度0.1-25r/min

    9. 提拉杆升降快速速度:≤35mm/min

    10. 提拉行程:300mm

    11. 炉内充气压力: ≤0.03MPa

    12. 冷态极限真空度:6.7*10-4pa

    13. 控制方式:触摸屏+plc

     设备工厂背景产品图片_副本.png


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