提拉法晶体生长炉
- 信息介绍
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一、设备主要用途和特点
1.主要用途
设备主要用于科研对晶体生长过程的探索,可用于制备氧化物单晶和金属单晶晶体制备,如蓝宝石、GGG,YAG,LaAlO3,Si和Ge等,可以制备25mm以下的单晶体材料
2.机器特点:
1·模块化设计,结构紧凑,外形美观,
2·采用侧部开门,结构精巧,方便,移动平稳装卸料方便
3· 采用触摸屏+plc控制方式,自动化程度高,操作直观,功能强大。
4· 在触摸屏内可预存几十种烧结工艺,一次编辑,以后直接调用使用,省去多次编辑工艺的麻烦,避免输入错误,烧坏产品。
5· 烧结的温度,真空度,等数据可实时记录,也可随时启动停止记录,减少无用数据,数据可查询,可导出下载。
6· 烧结温度高,用石墨坩埚,最高可达2000℃,
二、设备主要技术指标和参数
1. 设备总功率:≤35Kw;电源电压:3相380V,50Hz
2. 最高温度:1900℃ 加热功率 ≤20Kw 根据需要定制
3. 额定温度:≤700-2000℃,可定制温度
4. 感应线圈尺寸:Ф100×100mm(直径×高,)设置保温层防止底部材料固化。(可定制)
5. 坩埚尺寸:Ф80×80mm(可定制)
6. 测温系统: 在坩埚侧部设计测温孔 配置红外测温仪和欧陆程序仪表
7. 提拉速度:慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)
8. 提拉杆旋转速度0.1-25r/min
9. 提拉杆升降快速速度:≤35mm/min
10. 提拉行程:300mm
11. 炉内充气压力: ≤0.03MPa
12. 冷态极限真空度:6.7*10-4pa
13. 控制方式:触摸屏+plc

















